法人情報

お気に入りページ登録に失敗しました
お気に入りページ解除に失敗しました
すでにお気に入り登録済みのページです
自社はお気に入り登録できません

最終更新日時: 2022/06/28 13:48:37
法人番号:1210001001140

セーレンKST株式会社

最高膜厚30マイクロメートルの厚膜熱酸化膜付ウェーハを供給

熱酸化膜加工を中心としたシリコンウェーハの成膜加工サービス専業メーカー。光部品メーカー向けに製品を提供する。優れた表面洗浄度で最高膜厚30μmの厚膜熱酸化膜付ウェーハを供給。サイズの対応幅も広く、各光部品・通信機器メーカーに採用されている。

お問い合わせ

【製品説明】 当社はウェーハサイズφ4インチ~12インチまでのシリコンウェーハを対象に半導体プロセスサービスを提供する国内では唯一の専業メーカーです。半導体関連のお客様が開発に必用とするテストウェーハをスピーディに低価格で提供する専業メーカーならではの対応が好評です。単層膜の成膜から最先端の微細パターニングまで幅広い対応能力で、様々な要求にお応えします。また、少量対応にも応じますので、無駄を省き、経費の削減に貢献します。 【シェア・ランク】 国内シェア 40%、海外シェア 20% 【認定・認可】 ISO9001取得(2005年12月01日) 【主要保有施設・機器】 各種成膜装置、ウェーハ洗浄装置、各種検査装置

【製品説明】 当社は半導体製造で用いられる熱酸化法を使い、最大膜厚が25μmという常識を超越した熱酸化膜付シリコンウェーハを製造することが可能です。熱酸化法の酸化膜は、他の製法よりも優れた膜質、均一性、再現性であることは一般的に知られていますが、厚くても3μm程度が膜厚の限界値と考えられてきました。当社は独自の加工技術とクラス10のクリーンルーム環境により、限界を超えた厚膜と高い清浄度をもった製品の実現に成功しました。本製品は光通信デバイス用の基板材料として世界中の光部品メーカーに販売している他、半導体パワーデバイスやRFデバイス、MEMSといった全く違った分野にも注目を集めています。 【シェア・ランク】 光通信部品(光導波路)の分野で世界シェア80% 【認定・認可】 ISO9001取得(2005年12月01日) 【知的財産】 特許第3697155号、特許第4398126号 【主要保有施設・機器】 熱酸化炉、膜厚測定装置

【製品説明】 当社の厚膜技術をSOIウェーハ(Silicon on Insulator)に応用し、世界でも類を見ない厚BOXのSOIウェーハを製品化しました。また、当社が得意とするシリコンウェーハの加工技術を用いて、SOI内部にキャビティ構造をもった特殊なSOIウェーハの提供も行っています。これらの特殊なSOIウェーハは半導体パワーデバイスやMEMSデバイスにおいて、性能とコストの両面で大きなメリットを与えます。キャビティSOIを製造するメーカーは世界で3社。国内では当社だけです。 【シェア・ランク】 4μm以上のBOX層を持つSOIは世界でも当社1社のみ。 キャビティSOIの製造は当社を含み世界で3社が対応。アジア地域では世界1位。 【認定・認可】 ISO9001取得(2005年12月01日) 【知的財産】 特許公開番号2009-130328 【主要保有施設・機器】 ウェーハ貼り合わせ装置、枚葉式CMP装置、グラインダー、超音波映像装置

お問い合わせ